半導體生產用超純水設備概述：
半導體生產用超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格，達到PPb級，產水水質要求在18.2MΩ*cm（25℃）以上。

半導體生產用超純水設備優點：

半導體芯(xin)片(pian)(pian)用(yong)水(shui)主要在(zai)于前端晶(jing)棒(bang)硅(gui)切片(pian)(pian)冷卻用(yong)水(shui)，基板晶(jing)圓片(pian)(pian)檢測清(qing)洗用(yong)水(shui)，中段(duan)(duan)(duan)晶(jing)圓片(pian)(pian)濺鍍、曝光(guang)、電(dian)鍍、光(guang)刻、腐蝕等工(gong)藝(yi)清(qing)洗，后段(duan)(duan)(duan)檢測封裝清(qing)洗。LED芯(xin)片(pian)(pian)主要是前段(duan)(duan)(duan)在(zai)MOCVD外(wai)延片(pian)(pian)生長用(yong)水(shui)，中段(duan)(duan)(duan)主要在(zai)曝光(guang)、顯影(ying)、去(qu)光(guang)阻(zu)清(qing)洗用(yong)水(shui)，后段(duan)(duan)(duan)檢測封裝用(yong)水(shui)。同時，半導體行業對TOC的要求較高。

半導體生產用超純水設備特點：
由于超純水設備的工藝是根據不同的入水水質和出水要求而設計的，針對不同的原水水質特點而設計 超純水設備方案才是經濟有效的方案，同時也是出水水質長期穩定達到要求的保證。超純水設備由于用途不一樣，會有不同的制造流程，或有的把幾種工藝結合起來讓水質達到預期的效果，按類別可大至分為以下幾種，比較常用的預處理系統，反滲透系統， EDI電除鹽超純水系統，精處理系統等。

半導體生產用超純水設備工藝流程：
①反滲透純水設備(bei)
RO反滲透膜的工作原理是對水施加一定的壓力，使水分子和離子態的礦物質元素通過一層反滲透膜，而溶解在水中的絕大部分無機鹽(包括重金屬)、有機物以及細菌、病毒等無法透過反滲透膜，從而透過的純水和無法透過的濃縮水嚴格的分開； 

反滲透膜上的孔徑只有0.0001um，而病毒的直徑一般有0.02-0.4um，普通細菌的直徑有0.4-1um。 反滲透純水機的正常工作有賴于一定的壓力，這個壓力大于滲透膜的滲透壓，一般是2.8公斤/平方厘米。
 
在水壓或水壓不穩定的地區，我們建議您一定要購買有前段增壓泵的反滲透純水系統，它的工作壓力可達0.3-0.6Mpa，不受自來水壓限制，制水效率高,速度快、排濃縮水少。
 
反滲透有效的除鹽，一級反滲透設備出水電阻率一般在0.05-0.5MΩ.CM.此純水系統產水品質穩定，是目前比較通用的純水生產設備，生產品質基本滿足FPC/PCB生產需求。 

②EDI電除(chu)鹽超純水系統 
連續電除鹽(EDI, Electro deionization或CDI, continuous electrode ionization)，是利用混和離子交換樹脂吸附給水中的陰陽離子，同時這些被吸附的離子又在直流電壓的作用下，分別透過陰陽離子交換膜而被除去的過程。 

這一過程離子交換樹脂是電連續再生的，因此不需要使用酸和堿對之再生。 
這種新技術可以替代傳統的離子交換裝置，生產出高達18MΩ.CM的超純水。整個工藝流程前面的部分和常規的水處理工藝沒有很大區別，一般是先經過預處理，然后加藥殺毒，再經過RO反滲透系統，再使用EDI設備制取超純水。